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Samsung Disque Dur Samsung MZ-VAP8T0 8 To M.2 NVMe PCIe 5.0 Jusqu a 14800 Mo s Chiffrement AES

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COMPARATEUR DE PRIX — SAMSUNG DISQUE DUR SAMSUNG MZ-VAP8T0 8 TO M.2 NVME

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Fiche technique

  • 8 To M.2 PCI Express 5.0
  • Vitesse de lecture: 14800 Mo/s 2200000 IOPS
  • Vitesse d'écriture: 13400 Mo/s 2600000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Le chiffrement matériel 256-bit AES
  • Support S.M.A.R.T. Support TRIM
Capacité du Solid State Drive (SSD)
8 To
Facteur de forme SSD
M.2
Interface
PCI Express 5.0
NVMe
Oui
Type de mémoire
V-NAND TLC
composant pour
PC/Console de jeux
Mémoire
Type de mémoire V-NAND TLC
Connectique
Flux de données d'interface PCI Express x4
Support S.M.A.R.T. Oui
Support TRIM Oui
Alimentation
Consommation électrique (Lecture) 10,5 W
Consommation électrique (Ecriture) 8,8 W
Consommation électrique (idle) 0,009 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille) 8,6 mW
Dimensions & poids
Facteur de forme SSD M.2
Largeur 80,2 mm
Profondeur 3,88 mm
Hauteur 80,2 mm
Autres
Capacité du Solid State Drive (SSD) 8 To
Interface PCI Express 5.0
NVMe Oui
composant pour PC/Console de jeux
Le chiffrement matériel Oui
Version NVMe 2.0
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
Taille du SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture 14800 Mo/s
Vitesse d'écriture 13400 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB) 2200000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB) 2600000 IOPS
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) Oui
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Tension de fonctionnement 3,3 V
Température d'opération 0 - 70 °C
Choc durant le fonctionnement 1500 G
Période de garantie 5 année(s)

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