Samsung Disque Dur Samsung 870 EVO 8TB SSD 2.5 560MB s AES Encryption
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🕐 Données datant du 14/11/2026 – 01H
COMPARATEUR DE PRIX — SAMSUNG DISQUE DUR SAMSUNG 870 EVO 8TB SSD 2.5 560
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Prix médian du modèle 8 To (13 références) : 2 357 € · cette référence est à +6 % (prix produit, hors livraison)
| Marchand | Produit | Stock | Livraison | Prix total | |
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Samsung Disque Dur Samsung 870 EVO 8TB SSD 2.5 560MB s AES Encryption
⭐ Meilleur prix
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En stock | non communiquée |
2 505,70 €
hors livraison |
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Samsung Samsung 870 EVO MZ-77E8T0B - SSD - 8 To
Prix non actualisé : flux du marchand relu le 03/11
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— | +11,90 € |
1 732,70 €
dont 1 720,80 € produit
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Fiche technique
- 8 To 2.5" Série ATA III
- Vitesse de lecture: 560 Mo/s 98000 IOPS
- Vitesse d'écriture: 530 Mo/s 88000 IOPS
- V-NAND TLC
- Le chiffrement matériel 256-bit AES
- Support S.M.A.R.T. Support TRIM
| Mémoire | |
| Type de mémoire | V-NAND TLC |
| Taux de transfert des données | 6 Gbit/s |
| Connectique | |
| Support S.M.A.R.T. | Oui |
| Support TRIM | Oui |
| Compatibilité | |
| Prise en charge du système d'exploitation Windows | Windows 10, Windows 10 x64, Windows 7, Windows 7 x64, Windows 8, Windows 8 x64, Windows Vista |
| Prise en charge du système d'exploitation Mac | Oui |
| Prise en charge du système d'exploitation Linux | Oui |
| Prise en charge du système d'exploitation serveur | Windows Server 2003, Windows Server 2003 x64 |
| Alimentation | |
| Consommation électrique (Lecture) | 2,2 W |
| Consommation électrique (Ecriture) | 2,6 W |
| Consommation (max) | 4,5 W |
| Consommation d'énergie (moyenne) | 2,5 W |
| Consommation électrique (idle) | 0,04 W |
| Dimensions & poids | |
| Facteur de forme SSD | 2.5" |
| Largeur | 100,1 mm |
| Profondeur | 6,9 mm |
| Hauteur | 69,9 mm |
| Poids | 86,2 g |
| Autres | |
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 8 To |
| Interface | Série ATA III |
| NVMe | Non |
| composant pour | PC |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
| Vitesse de lecture | 560 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | 530 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4KB) | 98000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4KB) | 88000 IOPS |
| Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) | Oui |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
| Classe TBW | 1200 |
| Tension de fonctionnement | 5 V |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
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