Samsung Disque Dur Samsung 870 EVO 8TB SSD 2.5 560MB s AES Encryption
Optimisez vos performances avec le Samsung 870 EVO 8TB SSD la solution ultime pour un stockage rapide fiable et sécurisé. Caractéristiques Disque Dur Samsung 870 EVO 8TB SSD Profitez d'une capacité massive de 8 To pour stocker vos projets bibliothèqu
🕐 Données datant du 17/05/2026 – 19H
COMPARATEUR DE PRIX — SAMSUNG DISQUE DUR SAMSUNG 870 EVO 8TB SSD 2.5 560
| Marchand | Produit | Stock | Livraison | Prix | |
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Samsung Samsung 870 EVO MZ-77E8T0B - SSD - 8 To
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Samsung Disque Dur Samsung 870 EVO 8TB SSD 2.5 560MB s AES Encryption
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En stock | — |
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Fiche technique
- 8 To 2.5" Série ATA III
- Vitesse de lecture: 560 Mo/s 98000 IOPS
- Vitesse d'écriture: 530 Mo/s 88000 IOPS
- V-NAND TLC
- Le chiffrement matériel 256-bit AES
- Support S.M.A.R.T. Support TRIM
Capacité du Solid State Drive (SSD)
8 To
Facteur de forme SSD
2.5"
Interface
Série ATA III
NVMe
Non
Type de mémoire
V-NAND TLC
composant pour
PC
| Mémoire | |
| Type de mémoire | V-NAND TLC |
| Taux de transfert des données | 6 Gbit/s |
| Connectique | |
| Support S.M.A.R.T. | Oui |
| Support TRIM | Oui |
| Compatibilité | |
| Prise en charge du système d'exploitation Windows | Windows 10, Windows 10 x64, Windows 7, Windows 7 x64, Windows 8, Windows 8 x64, Windows Vista |
| Prise en charge du système d'exploitation Mac | Oui |
| Prise en charge du système d'exploitation Linux | Oui |
| Prise en charge du système d'exploitation serveur | Windows Server 2003, Windows Server 2003 x64 |
| Alimentation | |
| Consommation électrique (Lecture) | 2,2 W |
| Consommation électrique (Ecriture) | 2,6 W |
| Consommation (max) | 4,5 W |
| Consommation d'énergie (moyenne) | 2,5 W |
| Consommation électrique (idle) | 0,04 W |
| Dimensions & poids | |
| Facteur de forme SSD | 2.5" |
| Largeur | 100,1 mm |
| Profondeur | 6,9 mm |
| Hauteur | 69,9 mm |
| Poids | 86,2 g |
| Autres | |
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 8 To |
| Interface | Série ATA III |
| NVMe | Non |
| composant pour | PC |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
| Vitesse de lecture | 560 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | 530 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4KB) | 98000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4KB) | 88000 IOPS |
| Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) | Oui |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
| Classe TBW | 1200 |
| Tension de fonctionnement | 5 V |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
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